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Goldfuß, Johannes
Herstellung und Modifizierung heteroepitaktischer
Oxidschichten
auf Si
Reihe: Akademische Abhandlung zur Physik
ISBN 978-3-89700-432-0
2005
Preis: 19,90 €
109 Seiten
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Abstract
"Für die großflächige Abscheidung einkristalliner Funktionsschichten bietet Silizium viele technologische Vorteile. Dabei ist die Reaktivität des Siliziums oft ein grundsätzliches Problem. Epitaktische oxidische Pufferschichten wie z.B. Yttrium-stabilisiertes Zirkonoxid (kurz: YSZ) stellen eine gangbare Lösung dafür dar.
In der vorliegenden Arbeit wird die Präparation epitaktischer
YSZ-Schichten mittels gepulster Laserablation (PLD) sowie die
Texturoptimierung der so hergestellten Dünnschichten in nachfolgenden
Temperexperimenten beschrieben. Die Charakterisierung der Proben umfasst
Untersuchungen zu Struktur, Textur und Topographie. Erste Experimente
zur Verwendung der Schichten als Wachstumssubstrate für die Abscheidung epitaktischer Funktionsschichten zeigen vielversprechende Ergebnisse.
Insbesondere wurde ein alternativer Weg aufgezeigt für die Realisierung epitaktischer SrTiO_3 -Schichten auf Si."
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