Wenzel, Roland

Ohm Kontakte auf p-GaN

Elektrische Eigenschaften und metallurgische Reaktionen

Reihe: Akademische Abhandlung zu den Ingenieurwissenschaften
ISBN: 978-3-89700-206-7
1999
Preis: 24.90 €
89 Seiten

Abstract

Die elektrischen Eigenschaften von ohmschen Kontakten auf p-dotiertem Galliumnitrid und die Phasenbeziehungen an der Grenzfläche Kontaktmetall/p-GaN sind untersucht worden. Die Veränderung der elektrischen Kontakteigenschaften durch Herstellungsart und Oberflächenbehandlung der p-GaN Epitaxie-Schicht und durch die verwendeten Kontaktmetalle und deren Temperung sind bestimmt worden. Zur Untersuchung der Phasenbeziehungen an der Kontakt/Halbleiter Grenzfläche sind die ternären Phasendiagramme Metall - Ga - N (Metall = Pd, Ni, Co, Cr, Pt, Au) ermittelt worden.

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